复合三维成核层及其制备方法、外延片及发光二极管

专利号：CN202310602441.8

公布日：2023-08-15

申请人：江西兆驰半导体有限公司

半导体结构、器件及其制备方法

专利号：CN201910843531.X

公布日：2019-12-27

申请人：上海芯元基半导体科技有限公司;中微半导体设备(上海)股份有限公司

半导体结构及器件

专利号：CN201921488966.9

公布日：2020-04-21

申请人：上海芯元基半导体科技有限公司;中微半导体设备（上海）股份有限公司

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片

专利号：CN202210641146.9

公布日：2022-09-06

申请人：江西兆驰半导体有限公司

复合非掺杂AlGaN层及制备方法、外延片及LED

专利号：CN202310582565.4

公布日：2023-08-15

申请人：江西兆驰半导体有限公司

用于填充孔洞或沟槽的薄膜沉积方法

专利号：CN201811026751.5

公布日：2023-06-16

申请人：北京北方华创微电子装备有限公司

成核层结构、半导体器件及成核层结构的制造方法

专利号：CN202011335959.2

公布日：2022-05-27

申请人：苏州能讯高能半导体有限公司

发光二极管外延片及其制备方法

专利号：CN202210545523.9

公布日：2022-08-09

申请人：江西兆驰半导体有限公司

一种硅基高电子迁移率晶体管及其制备方法

专利号：CN202210295895.0

公布日：2022-07-05

申请人：江西兆驰半导体有限公司

一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件

专利号：CN202111598873.3

公布日：2023-06-27

申请人：苏州能讯高能半导体有限公司

一种发光二极管外延片及其制作方法

专利号：CN201510703782.X

公布日：2018-05-22

申请人：华灿光电股份有限公司

一种基于AlPN成核层的低射频损耗硅基GaN薄膜及制备方法

专利号：CN202210716538.7

公布日：2022-11-04

申请人：西安电子科技大学

具有氮化铝成核层的基板及其制造方法

专利号：CN202010413464.0

公布日：2020-12-22

申请人：环球晶圆股份有限公司

外延结构

专利号：CN201910547464.7

公布日：2023-04-18

申请人：环球晶圆股份有限公司

重复使用于制造发光元件的基板的方法

专利号：CN201610837488.2

公布日：2020-03-10

申请人：晶元光电股份有限公司