高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

专利号：CN201510003131.X

公布日：2018-11-27

申请人：无锡华润上华科技有限公司

一种扩散电阻的仿真方法及系统

专利号：CN201110448637.3

公布日：2012-06-27

申请人：上海新进半导体制造有限公司

半导体集成电路装置

专利号：CN200710184869.6

公布日：2008-05-07

申请人：恩益禧电子股份有限公司

复合型场效应晶体管及其制备方法、控制器

专利号：CN201610883828.5

公布日：2023-05-05

申请人：上海晶丰明源半导体股份有限公司

复合型场效应晶体管及控制器

专利号：CN201621109938.8

公布日：2017-04-12

申请人：上海晶丰明源半导体股份有限公司

一种线缆过油装置

专利号：CN202022427750.0

公布日：2021-06-08

申请人：常熟市景弘盛通信科技股份有限公司

一种多元气体扩散的渗吸敏感性模拟方法及定量分析方法

专利号：CN202310303451.1

公布日：2023-07-11

申请人：中国地质大学（北京）

一种去除视频图像方块效应的方法

专利号：CN201010166885.4

公布日：2010-09-22

申请人：艾诺通信系统(苏州)有限责任公司

天然气水合物在多孔介质中的热扩散效应实验装置

专利号：CN201010222119.5

公布日：2011-05-04

申请人：青岛海洋地质研究所

鳍部掺杂方法及鳍式场效应晶体管的制作方法

专利号：CN201511003228.7

公布日：2019-09-27

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

测定表面沟道PMOS多晶硅栅硼向金属或金属硅化物扩散的方法

专利号：CN201110433485.X

公布日：2013-06-26

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

天然气水合物在多孔介质中的热扩散效应实验装置

专利号：CN201020253030.0

公布日：2011-02-16

申请人：青岛海洋地质研究所

集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管

专利号：CN200710134474.5

公布日：2008-04-09

申请人：无锡博创微电子有限公司

改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器

专利号：CN202221626205.7

公布日：2022-11-08

申请人：思特威（上海）电子科技股份有限公司

一种基于模糊理论的页岩气藏表观渗透率计算方法

专利号：CN202011229616.8

公布日：2022-02-01

申请人：西南石油大学