抗蚀覆盖膜形成材料、形成抗蚀图的方法、半导体器件及其制造方法

专利号：CN200610094195.6

公布日：2007-08-22

申请人：富士通株式会社

抗蚀图形成方法

专利号：CN200410100744.7

公布日：2005-06-15

申请人：尔必达存储器股份有限公司

抗蚀图形形成方法、利用该方法的半导体装置及其曝光装置

专利号：CN200510056980.8

公布日：2005-09-28

申请人：株式会社东芝

抗蚀剂膜的形成方法及抗蚀剂膜

专利号：CN202210628366.8

公布日：2022-12-20

申请人：富士胶片株式会社

基板处理装置以及基板处理方法

专利号：CN200510120442.0

公布日：2006-05-17

申请人：大日本网目版制造株式会社

用以形成抗蚀图形的方法

专利号：CN95108123.3

公布日：1999-03-31

申请人：现代电子产业株式会社

蚀刻方法

专利号：CN201380054561.3

公布日：2017-02-15

申请人：株式会社御牧工程

一种干膜抗蚀剂层压体及其制备方法和应用

专利号：CN202111463400.2

公布日：2022-04-15

申请人：杭州福斯特电子材料有限公司

感光膜的设置方法、半导体装置的制造方法及电子设备

专利号：CN201510174089.8

公布日：2015-10-14

申请人：精工爱普生株式会社

用于制备光致抗蚀剂图案的方法

专利号：CN201010517468.X

公布日：2011-05-04

申请人：住友化学株式会社

图案形成方法、离子注入方法、层叠体、试剂盒及电子器件的制造方法

专利号：CN201880056528.7

公布日：2023-07-28

申请人：富士胶片株式会社

图形形成方法

专利号：CN200410102204.2

公布日：2005-06-22

申请人：松下电器产业株式会社

抗蚀剂膜的形成方法

专利号：CN202210627987.4

公布日：2022-12-20

申请人：富士胶片株式会社

阻挡膜形成用材料及使用它的图案形成方法

专利号：CN200510009041.8

公布日：2005-08-31

申请人：松下电器产业株式会社

具有砜结构及胺结构的含硅抗蚀剂下层膜形成组合物

专利号：CN201380032731.8

公布日：2017-06-16

申请人：日产化学工业株式会社