OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模

专利号：CN202110500020.5

公布日：2021-11-30

申请人：悟勞茂材料公司

图案化方法

专利号：CN201810082395.2

公布日：2021-02-26

申请人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司

半导体结构形成的方法

专利号：CN200710002191.5

公布日：2008-07-16

申请人：南亚科技股份有限公司

半导体器件以及在半导体器件中形成图案的方法

专利号：CN200710112493.8

公布日：2008-07-02

申请人：海力士半导体有限公司

图案化方法

专利号：CN201810342023.9

公布日：2022-03-15

申请人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司

形成半导体器件的图案的方法

专利号：CN200910001020.X

公布日：2009-09-30

申请人：海力士半导体有限公司

制造半导体器件的方法

专利号：CN200710195042.5

公布日：2008-09-24

申请人：海力士半导体有限公司

形成间隔物图案掩模的方法

专利号：CN201310183224.6

公布日：2017-02-22

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

制造半导体器件的方法

专利号：CN201610915853.7

公布日：2021-07-13

申请人：三星电子株式会社

掩模图案布置方法

专利号：CN200510131730.6

公布日：2007-06-20

申请人：中华映管股份有限公司

制造三维半导体器件的方法

专利号：CN201810445608.3

公布日：2023-09-15

申请人：三星电子株式会社

利用氟化氩曝光光源制造半导体器件的方法

专利号：CN200310123524.1

公布日：2004-07-14

申请人：海力士半导体有限公司

掩模组件以及制造该掩模组件的方法

专利号：CN202111587120.2

公布日：2022-06-24

申请人：三星显示有限公司

图案计算装置、图案计算方法、掩模、曝光装置、元件制造方法、计算机程序和记录媒体

专利号：CN201880022622.0

公布日：2019-11-19

申请人：株式会社尼康

半导体器件以及在半导体器件中形成图案的方法

专利号：CN200710111468.8

公布日：2008-07-02

申请人：海力士半导体有限公司