掩模图案的制作方法

专利号：CN201710248133.4

公布日：2019-06-28

申请人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司

用于形成图案的方法

专利号：CN201911251894.0

公布日：2023-06-06

申请人：爱思开海力士有限公司

一种材料填充保护光刻掩模及其制备方法

专利号：CN202210701458.4

公布日：2022-09-20

申请人：中国科学院光电技术研究所

材料沉积设备、真空沉积系统及用以处理大面积基板的方法

专利号：CN201880096334.X

公布日：2021-03-19

申请人：应用材料公司

半导体结构的制备方法及半导体结构

专利号：CN202310943290.2

公布日：2023-09-19

申请人：长鑫科技集团股份有限公司

等离子体处理系统中优化基片蚀刻的方法

专利号：CN200580008542.2

公布日：2007-07-11

申请人：朗姆研究公司

用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模

专利号：CN201610625703.2

公布日：2020-10-30

申请人：应用材料公司

用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模

专利号：CN201280027188.8

公布日：2014-02-12

申请人：应用材料公司

半色调掩模板及其制造方法

专利号：CN200710175648.2

公布日：2009-04-15

申请人：北京京东方光电科技有限公司

用于形成特征定义的方法

专利号：CN200610149977.5

公布日：2007-04-25

申请人：应用材料公司

在电池电极上形成图案化表面的压制工艺

专利号：CN201810442622.8

公布日：2018-12-07

申请人：通用汽车环球科技运作有限责任公司

用于掩模基板的装置或生产线

专利号：CN201821706659.9

公布日：2019-12-13

申请人：P2I有限公司

刻蚀方法和互连结构的形成方法

专利号：CN201410265014.6

公布日：2020-10-09

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

一种使用复合材料制作的精细掩模版

专利号：CN202210845359.3

公布日：2022-09-20

申请人：重庆翰博显示科技研发中心有限公司

再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法

专利号：CN202110587063.1

公布日：2021-10-01

申请人：上海传芯半导体有限公司