半导体结构及其形成方法

专利号：CN201910302873.0

公布日：2020-10-27

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

存储电容器的制造方法

专利号：CN202210103068.7

公布日：2022-05-06

申请人：苏州聚谦半导体有限公司

存储器及其形成方法

专利号：CN201710149910.X

公布日：2021-06-08

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

双重图形化方法

专利号：CN201010509399.8

公布日：2012-05-09

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

自对准多重图形掩膜的形成方法

专利号：CN201410363413.6

公布日：2018-06-01

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN201910359242.2

公布日：2023-09-15

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

半导体结构的制造方法

专利号：CN202110552988.2

公布日：2022-11-25

申请人：长鑫存储技术有限公司

半导体器件及其形成方法

专利号：CN201910155832.3

公布日：2023-05-26

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

一种掩膜图案的形成方法及鳍式场效应晶体管

专利号：CN201910091989.4

公布日：2023-09-15

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

半导体器件及其形成方法

专利号：CN201710617030.0

公布日：2021-02-02

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

半导体结构的形成方法

专利号：CN201410363912.5

公布日：2018-06-01

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

双重图形化方法

专利号：CN201010509168.7

公布日：2012-05-09

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

一种掩膜板

专利号：CN201910281480.6

公布日：2023-08-29

申请人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司

用以形成柱掩膜元件的多重图案化制程

专利号：CN201710770107.8

公布日：2021-06-29

申请人：格芯(美国)集成电路科技有限公司

半导体结构的制造方法

专利号：CN202110553933.3

公布日：2022-11-22

申请人：长鑫存储技术有限公司