在硅片上制备选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片

专利号：CN201910604535.2

公布日：2021-10-22

申请人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司

降低高压互连影响的横向器件及制备方法

专利号：CN202010358355.3

公布日：2021-09-24

申请人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院

一种降低高压互连影响的横向高压器件

专利号：CN202010358929.7

公布日：2021-08-03

申请人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院

降低高压互连影响的器件结构及制造方法

专利号：CN202010354969.4

公布日：2022-02-08

申请人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院

降低高压互连影响的横向器件及制备方法

专利号：CN202010355723.9

公布日：2021-09-24

申请人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院

具有低比导通电阻的横向高压器件

专利号：CN201811288618.7

公布日：2019-03-01

申请人：电子科技大学

一种具有低比导通电阻的横向高压器件

专利号：CN201811290760.5

公布日：2019-03-01

申请人：电子科技大学

具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件

专利号：CN201910456675.X

公布日：2023-04-25

申请人：电子科技大学

具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件

专利号：CN201910203095.X

公布日：2020-11-27

申请人：电子科技大学

一种具有多电极结构的横向高压器件

专利号：CN201510099115.5

公布日：2018-11-13

申请人：电子科技大学

外延结构层及其制备方法和LED芯片

专利号：CN202210774776.3

公布日：2022-09-02

申请人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司

晶体管的形成方法

专利号：CN201310113277.0

公布日：2017-02-22

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

单向TVS结构

专利号：CN201621397423.2

公布日：2017-11-17

申请人：东莞市阿甘半导体有限公司

二极管及其制造方法

专利号：CN202110459130.1

公布日：2023-08-22

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

具有分流孔的浪涌保护器

专利号：CN202211572032.X

公布日：2023-05-26

申请人：派克微电子（深圳）有限公司