一种晶体外延结构及生长方法

专利号：CN201811538579.1

公布日：2019-05-24

申请人：苏州矩阵光电有限公司

一种晶体外延结构及生长方法

专利号：CN201711294749.1

公布日：2018-03-27

申请人：苏州矩阵光电有限公司

一种晶体外延结构

专利号：CN201721698988.9

公布日：2018-06-26

申请人：苏州矩阵光电有限公司

降低硅衬底LED外延应力的方法以及结构

专利号：CN201010137778.9

公布日：2010-09-01

申请人：晶能光电(江西)有限公司

半导体器件及其制造方法

专利号：CN02809544.8

公布日：2004-09-15

申请人：尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫

一种体声波谐振器及其制作方法

专利号：CN202110831867.1

公布日：2021-08-31

申请人：绍兴汉天下微电子有限公司

晶格失配的多结太阳能电池结构

专利号：CN201910532221.6

公布日：2022-01-25

申请人：扬州乾照光电有限公司

应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层

专利号：CN201910677591.9

公布日：2019-11-22

申请人：中山德华芯片技术有限公司

应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层

专利号：CN201921181179.X

公布日：2020-04-07

申请人：中山德华芯片技术有限公司

一种含有末端小失配子电池的多结太阳电池及其制备方法

专利号：CN201610801796.X

公布日：2018-03-23

申请人：上海空间电源研究所

一种碲镉汞液相外延材料生长方法

专利号：CN202310847837.9

公布日：2023-10-24

申请人：昆明物理研究所

直接键合的晶格失配的半导体器件

专利号：CN201410741083.X

公布日：2018-12-28

申请人：波音公司

在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法

专利号：CN201010128376.2

公布日：2010-08-18

申请人：中国科学院半导体研究所

一种氮化镓外延片及其制备方法

专利号：CN202111364861.4

公布日：2022-11-08

申请人：江苏第三代半导体研究院有限公司

具有降低了的位错缺陷密度的晶格失配的半导体结构和相关的器件制造方法

专利号：CN200680023212.5

公布日：2008-11-05

申请人：琥珀波系统公司