一种快速计算材料晶格热导率的方法

专利号：CN202310673584.8

公布日：2023-09-05

申请人：上海大学

一种具有低晶格热导率的高熵Half-Heusler热电材料及其制备方法

专利号：CN201910850656.5

公布日：2022-02-08

申请人：大连理工大学

一种高效能评估材料晶格热导率的方法

专利号：CN202310383444.7

公布日：2023-07-07

申请人：西北工业大学重庆科创中心;西北工业大学;北京应用物理与计算数学研究所

一种具有超晶格结构缓冲层的相变存储单元及制备方法

专利号：CN202110006769.4

公布日：2021-06-04

申请人：华中科技大学

低热导率材料

专利号：CN201280034026.7

公布日：2014-05-28

申请人：俄克拉荷马州大学评议会

Cu2

专利号：CN201711233984.8

公布日：2018-05-08

申请人：大连智讯科技有限公司

一种MnTe₂基新型热电材料及其制备方法

专利号：CN201810171661.9

公布日：2018-09-07

申请人：同济大学

新型航空发动机高温涡轮叶片热防护薄膜结构

专利号：CN202211536638.8

公布日：2023-07-04

申请人：纳能镀膜丹阳有限公司

一种黑磷复合掺杂型CoSb3

专利号：CN202310623583.2

公布日：2023-09-01

申请人：曲阜师范大学

一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法

专利号：CN201910763884.9

公布日：2021-09-07

申请人：福建华清电子材料科技有限公司

一种高热性能二维材料热导率预测模型构建方法及系统

专利号：CN202310509093.X

公布日：2023-09-22

申请人：扬州大学

一种量子化调控材料热导率的方法

专利号：CN202210867811.6

公布日：2022-11-22

申请人：华中科技大学

一种低热导率的Mg₂Si_0.2Ge_0.1Sn_0.7基热电材料

专利号：CN201410352858.4

公布日：2014-11-26

申请人：宁波工程学院

相变储能材料熔点附近热导率的检测方法及检测装置

专利号：CN201110136354.5

公布日：2012-01-04

申请人：中南大学

一种芯片的散热结构

专利号：CN201010571866.X

公布日：2011-05-18

申请人：北京大学