除去半导体器件的焊盘区中的晶格缺陷的方法

专利号：CN200410053074.8

公布日：2006-01-25

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种失效分析中分析晶格缺陷的TEM样品制备新方法

专利号：CN201610316827.2

公布日：2016-10-12

申请人：苏州博飞克分析技术服务有限公司

晶格缺陷显像方法

专利号：CN202011529305.3

公布日：2022-06-24

申请人：长鑫存储技术有限公司

除去半导体器件的焊盘区中的晶格缺陷的方法

专利号：CN200410053073.3

公布日：2006-01-25

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种基于声子晶体缺陷的声能俘获系统

专利号：CN201310081957.9

公布日：2013-07-10

申请人：广东工业大学

一种外延片、LED芯片及显示屏

专利号：CN202080100169.8

公布日：2022-12-06

申请人：华为技术有限公司

用于抑制半导体衬底中的晶格缺陷的方法

专利号：CN200880014137.5

公布日：2010-03-24

申请人：新思科技有限公司

有机发光器件及其制造方法

专利号：CN201610866374.0

公布日：2016-11-30

申请人：昆山国显光电有限公司

除去半导体器件的焊盘区中的晶格缺陷的方法

专利号：CN200410053076.7

公布日：2006-01-25

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发光二极管的外延片及其制作方法、发光二极管

专利号：CN201811352072.7

公布日：2021-04-06

申请人：华灿光电（浙江）有限公司

一种基于风车型缺陷的具有大的TM禁带的二维正方晶格光子晶体结构

专利号：CN201710616456.4

公布日：2019-12-03

申请人：江苏大学

半导体器件焊盘形成方法

专利号：CN200610116850.3

公布日：2008-04-02

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

用于俘获半导体衬底内的注入损伤的方法

专利号：CN200880014157.2

公布日：2010-03-24

申请人：新思科技有限公司

一种缺陷态可热调谐的二维声子晶体结构

专利号：CN201410074270.7

公布日：2014-07-30

申请人：广东工业大学

获得缺陷态的两种二维声子晶体结构

专利号：CN201210461169.8

公布日：2013-02-20

申请人：广东工业大学