半导体器件

专利号：CN202021542661.4

公布日：2021-03-09

申请人：意法半导体(鲁塞)公司

包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法

专利号：CN202010748995.5

公布日：2021-02-02

申请人：意法半导体(鲁塞)公司

MOS管的实际沟道长度的测试方法及装置

专利号：CN201410496090.8

公布日：2018-06-26

申请人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

晶体管及其沟道长度的形成方法

专利号：CN201310157253.5

公布日：2013-09-25

申请人：上海华力微电子有限公司

一种电场调控原子尺寸器件光电性能的方法

专利号：CN202110283405.0

公布日：2021-07-02

申请人：湘潭大学

NMOS器件制作方法

专利号：CN201210209049.9

公布日：2012-10-03

申请人：上海华力微电子有限公司

NMOS器件制作方法

专利号：CN201210209067.7

公布日：2012-10-03

申请人：上海华力微电子有限公司

形成场效应晶体管的方法、多个场效应晶体管及包括多个存储器单元的动态随机存取存储器电路

专利号：CN200780042020.3

公布日：2009-09-16

申请人：美光科技公司

半导体器件及其制造方法

专利号：CN200710198916.2

公布日：2008-06-18

申请人：株式会社东芝

一种增加PMOS有效沟道长度的方法

专利号：CN200910197805.9

公布日：2010-04-21

申请人：上海宏力半导体制造有限公司

场效应晶体管及其制造方法

专利号：CN202110134611.5

公布日：2021-08-31

申请人：上海先进半导体制造有限公司

沟道长度计算方法与装置

专利号：CN201210058631.X

公布日：2012-07-25

申请人：北京地拓科技发展有限公司

薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置和晶体管电路

专利号：CN201711190146.7

公布日：2022-05-13

申请人：天马微电子股份有限公司

一种调节场效应晶体管沟道长度的新方法及其制造工艺

专利号：CN201810288960.0

公布日：2018-09-07

申请人：广州安海半导体股份有限公司

MOSFET的仿真方法

专利号：CN202111136264.6

公布日：2021-12-14

申请人：广州粤芯半导体技术有限公司