有机半导体器件

专利号：CN03157007.0

公布日：2004-05-12

申请人：先锋株式会社

有机半导体器件

专利号：CN03146488.2

公布日：2004-02-18

申请人：先锋株式会社

有机半导体器件

专利号：CN202310356852.3

公布日：2023-10-17

申请人：株式会社半导体能源研究所

有机半导体薄膜的形成方法、以及使用该方法的有机半导体器件及其制造方法

专利号：CN201580038837.8

公布日：2019-03-01

申请人：日本化药株式会社

有机半导体器件用喷墨记录介质、有机半导体器件用构件及有机半导体器件的制造方法

专利号：CN202210170446.3

公布日：2022-08-30

申请人：柯尼卡美能达株式会社

有机半导体器件和有机半导体薄膜

专利号：CN200780000602.5

公布日：2008-12-17

申请人：索尼株式会社

一种高电负性有机半导体

专利号：CN201410194423.1

公布日：2014-07-30

申请人：江西冠能光电材料有限公司

有机半导体器件、有机EL器件、发光装置、电子设备以及照明装置

专利号：CN202211639564.0

公布日：2023-07-14

申请人：株式会社半导体能源研究所

一种有机半导体器件特性测量仪

专利号：CN201010162152.3

公布日：2010-11-10

申请人：兰州大学

一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法

专利号：CN201410283265.7

公布日：2014-09-17

申请人：中国科学院微电子研究所

有机薄膜晶体管器件制备方法及显示面板

专利号：CN202011339789.5

公布日：2022-09-23

申请人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司

碱金属铷化合物作为缓冲层或电子注入层的有机半导体器件

专利号：CN201210179120.3

公布日：2012-10-03

申请人：吉林大学

半导体器件及使用该半导体器件的显示装置

专利号：CN201010524862.6

公布日：2011-06-15

申请人：索尼公司

一种有机发光器件结构及其内部温度监测方法

专利号：CN201711088797.5

公布日：2019-10-25

申请人：固安翌光科技有限公司

有机半导体共聚物和包括其的有机电子器件

专利号：CN200910009844.1

公布日：2010-04-07

申请人：三星电子株式会社