电极结构与太阳电池结构

专利号：CN202010072891.7

公布日：2021-06-11

申请人：财团法人工业技术研究院

栅极沟槽以及半导体器件的制造方法

专利号：CN201010261546.4

公布日：2012-03-14

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

一种杂多酸型催化剂的使用方法

专利号：CN02123293.8

公布日：2003-01-15

申请人：中国科学院大连化学物理研究所

一种TOPCon电池及其制备方法

专利号：CN202310470192.1

公布日：2023-07-21

申请人：滁州捷泰新能源科技有限公司

降低N型掺杂和非掺杂多晶硅栅极刻蚀后形貌差异的方法

专利号：CN201210163138.4

公布日：2012-10-03

申请人：上海华力微电子有限公司

一种杂多酸催化木质纤维素水解的方法

专利号：CN201710117975.6

公布日：2017-05-31

申请人：中国科学技术大学

一种杂多酸盐催化剂及其制备方法与应用

专利号：CN202210787666.0

公布日：2023-10-03

申请人：中国科学院过程工程研究所

侧壁阻挡结构及制造方法

专利号：CN200310117008.8

公布日：2004-07-07

申请人：英飞凌技术股份有限公司

一种从失活的负载型杂多酸催化剂中回收杂多酸的方法

专利号：CN200610169668.4

公布日：2008-07-02

申请人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院

半导体存储器件的制造方法及半导体存储器件

专利号：CN201911097436.6

公布日：2023-07-21

申请人：长鑫存储技术有限公司

改善掺杂与非掺杂多晶硅栅极刻蚀形貌差异的方法

专利号：CN201210343505.9

公布日：2013-01-09

申请人：上海华力微电子有限公司

在器件的掺杂多晶硅沟槽上形成钛化硅层的方法

专利号：CN200910046709.4

公布日：2010-09-01

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

一种表面修饰变价金属离子的固态杂多酸复合催化剂及其制备方法和应用

专利号：CN201510114892.2

公布日：2017-05-10

申请人：浙江工商大学

太阳能电池的制备方法

专利号：CN201911253664.8

公布日：2021-06-11

申请人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司

固载型磷钨杂多酸的制备方法

专利号：CN201410570479.2

公布日：2015-02-18

申请人：吉林化工学院