集成电路布局、器件、系统和其生成方法

专利号：CN201910112255.X

公布日：2022-11-01

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

具有背对背连接的晶体管的负载开关

专利号：CN202111392092.9

公布日：2022-03-01

申请人：伏达半导体（合肥）有限公司

非易失性存储器及其制造方法

专利号：CN200610004396.2

公布日：2007-08-22

申请人：力晶半导体股份有限公司

半导体装置

专利号：CN202110458050.4

公布日：2022-09-30

申请人：力晶积成电子制造股份有限公司

晶体管结构及晶体管结构的制造方法

专利号：CN202210624636.8

公布日：2022-12-06

申请人：发明与合作实验室有限公司

P型MOS存储单元

专利号：CN201110032426.1

公布日：2011-09-07

申请人：上海宏力半导体制造有限公司

一种具有含虚栅的复合栅结构的IGBT芯片

专利号：CN201810148858.0

公布日：2020-09-04

申请人：株洲中车时代电气股份有限公司

快闪存储单元及其制造方法

专利号：CN200410089721.0

公布日：2006-05-10

申请人：力晶半导体股份有限公司

半导体器件的制造方法、半导体器件

专利号：CN201811167777.1

公布日：2020-04-14

申请人：无锡华润上华科技有限公司

功率半导体芯片，该芯片的光刻版及其曝光方法

专利号：CN201710323535.6

公布日：2019-01-22

申请人：株洲中车时代电气股份有限公司

一种半导体结构及其制造方法

专利号：CN202111514590.6

公布日：2022-03-22

申请人：晶芯成（北京）科技有限公司

半导体器件及其形成方法

专利号：CN201611248887.1

公布日：2020-12-22

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

薄膜晶体管及其制造方法

专利号：CN201310713363.5

公布日：2015-06-24

申请人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司

半导体功率器件及其制造方法

专利号：CN202210120458.5

公布日：2022-08-16

申请人：英飞凌科技奥地利有限公司

非易失性存储器及其制造方法

专利号：CN201910431266.4

公布日：2023-04-18

申请人：物联记忆体科技股份有限公司