SONOS中氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层的制造方法

专利号：CN200910057468.3

公布日：2010-12-29

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

介电层的制造方法

专利号：CN02132362.3

公布日：2004-03-31

申请人：茂德科技股份有限公司

形成器件隔离区的方法

专利号：CN200710126588.5

公布日：2008-04-02

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种浮栅型分栅闪存工艺方法

专利号：CN202111570227.6

公布日：2022-03-29

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司

氮氧化硅绝缘结构及其制作方法

专利号：CN201310432056.X

公布日：2014-01-01

申请人：上海华力微电子有限公司

薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法

专利号：CN201910971659.4

公布日：2022-10-28

申请人：长江存储科技有限责任公司

测量氧化硅层－氮化硅层－氧化硅层电学厚度的方法

专利号：CN200610118810.2

公布日：2008-06-04

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法

专利号：CN201610272824.3

公布日：2017-03-08

申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

一种半导体电容器

专利号：CN201310557141.9

公布日：2014-02-19

申请人：溧阳市江大技术转移中心有限公司

具有保护层的石英玻璃坩埚及其制造方法

专利号：CN200910158377.9

公布日：2011-01-12

申请人：合晶科技股份有限公司

存储器的制造方法

专利号：CN202010176400.3

公布日：2023-04-28

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

STI的形成方法

专利号：CN202110084945.6

公布日：2021-06-08

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司

一种半导体器件的制造方法

专利号：CN202110388636.8

公布日：2021-07-16

申请人：中国科学院微电子研究所

浅沟槽隔离结构的制作方法

专利号：CN202110032273.4

公布日：2021-05-28

申请人：长江存储科技有限责任公司

双压电晶片元件、双压电晶片开关、密勒元件及其制造方法

专利号：CN200580029357.1

公布日：2007-08-29

申请人：爱德万测试株式会社