一种监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法

专利号：CN201410697355.0

公布日：2015-03-25

申请人：上海华力微电子有限公司

高压MOS管栅极氧化膜结构及其生长方法

专利号：CN200510111426.5

公布日：2007-06-20

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜

专利号：CN201310414275.5

公布日：2013-12-25

申请人：大连理工大学

防止衬底杂质外扩散的方法

专利号：CN201610874748.3

公布日：2017-02-08

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

纳米晶二氧化钛功能薄膜及其制备方法

专利号：CN202110484165.0

公布日：2021-08-10

申请人：中国建筑材料科学研究总院有限公司

氧化石墨烯-纳米银/胰岛素样生长因子-1复合敷料制备及创面愈合方法

专利号：CN202010680672.7

公布日：2020-11-13

申请人：中国人民解放军西部战区总医院

制造半导体器件电容器的方法

专利号：CN95109634.6

公布日：2000-03-29

申请人：现代电子产业株式会社

一种掩膜层及其生长方法和应用

专利号：CN202211412098.2

公布日：2023-04-07

申请人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司

防止衬底杂质外扩散的方法

专利号：CN201610874737.5

公布日：2016-12-21

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

获得空气间隙沟槽的方法

专利号：CN201010027238.5

公布日：2011-07-13

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法

专利号：CN202310422945.1

公布日：2023-07-14

申请人：西安电子科技大学芜湖研究院

肖特基二极管的制备方法

专利号：CN201910967981.X

公布日：2022-12-20

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

沟槽型MOS晶体管的制造方法

专利号：CN200610030348.0

公布日：2008-02-27

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

使铌氮氧化物层生长的方法

专利号：CN201610802484.0

公布日：2017-04-05

申请人：松下知识产权经营株式会社

氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置

专利号：CN202010502177.7

公布日：2020-12-08

申请人：丰田自动车株式会社;国立大学法人京都工芸纤维大学