氮化物半导体发光器件及其制造方法

专利号：CN200580032508.9

公布日：2007-08-29

申请人：LG伊诺特有限公司

场效应晶体管

专利号：CN200980148577.4

公布日：2011-11-09

申请人：松下电器产业株式会社

Micro-LED外延片及制备方法

专利号：CN202210699021.1

公布日：2022-09-20

申请人：江苏第三代半导体研究院有限公司

一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法

专利号：CN201310673040.8

公布日：2014-03-12

申请人：中山大学

一种氮化物外延片及其制备方法和半导体器件

专利号：CN202210873434.7

公布日：2022-10-18

申请人：江苏第三代半导体研究院有限公司

氮化物材料的制备方法及氮化物材料

专利号：CN202010630174.1

公布日：2020-10-23

申请人：北京大学东莞光电研究院

半导体结构

专利号：CN202111512288.7

公布日：2023-02-17

申请人：新唐科技股份有限公司

发光二极管及其制备方法

专利号：CN201610267717.1

公布日：2018-01-12

申请人：天津三安光电有限公司

氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体层叠体

专利号：CN201580048531.0

公布日：2017-05-17

申请人：夏普株式会社

氮化物基半导体器件及其制造方法

专利号：CN202280004733.5

公布日：2023-03-17

申请人：英诺赛科（珠海）科技有限公司

半导体器件

专利号：CN202110123134.2

公布日：2022-02-15

申请人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司

氮化物半导体元件和其制造方法

专利号：CN200480027878.9

公布日：2006-11-01

申请人：松下电器产业株式会社

半导体结构

专利号：CN202211311890.9

公布日：2023-07-14

申请人：环球晶圆股份有限公司

具有含铟盖层结构的Ⅲ族氮化物基量子阱发光器件结构

专利号：CN200580025327.3

公布日：2007-07-25

申请人：克里公司

半导体装置

专利号：CN201610064455.9

公布日：2017-03-22

申请人：株式会社东芝