包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件

专利号：CN201911353740.2

公布日：2020-12-22

申请人：三星电子株式会社

一种低碳高合金钢制轴承外圈沟道磨削加工方法

专利号：CN202211467946.X

公布日：2023-03-03

申请人：中国航发哈尔滨轴承有限公司

用于CMOS的双轴向拉伸应变的Ge沟道

专利号：CN201380081249.3

公布日：2020-01-21

申请人：英特尔公司

半导体存储器装置

专利号：CN202310078180.4

公布日：2023-10-27

申请人：三星电子株式会社

一种微流芯片及利用微流芯片制备聚合物微球的方法

专利号：CN200610019354.6

公布日：2006-12-27

申请人：武汉大学

半导体结构及其形成方法

专利号：CN202110287734.2

公布日：2022-09-27

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

一种球笼同步万向联轴器

专利号：CN202021214468.8

公布日：2021-02-02

申请人：襄阳宇清传动科技有限公司

半导体器件

专利号：CN202211649703.8

公布日：2023-07-11

申请人：三星电子株式会社

显示驱动电路和包括该显示驱动电路的显示装置

专利号：CN202210571793.7

公布日：2022-11-25

申请人：三星电子株式会社

存储器的制作方法、存储器及存储器系统

专利号：CN202210622523.4

公布日：2022-09-16

申请人：长江存储科技有限责任公司

柔性基板、柔性显示面板及显示装置

专利号：CN201811416562.9

公布日：2020-09-01

申请人：惠州市华星光电技术有限公司

半导体存储器件及其制造方法

专利号：CN201480082144.4

公布日：2021-01-29

申请人：三星电子株式会社

一种内嵌偏置电路的太赫兹倍频器

专利号：CN201510149414.5

公布日：2017-10-31

申请人：中国科学院空间科学与应用研究中心

一种TBU电路

专利号：CN202310634791.2

公布日：2023-09-01

申请人：成都方舟微电子有限公司

多阈值电压晶体管结构以及形成、配置该结构的方法

专利号：CN201610162011.9

公布日：2020-02-07

申请人：国际商业机器公司