双侧折叠栅控源漏双隧穿型双向导通晶体管及其制造方法

专利号：CN201711048158.6

公布日：2019-10-15

申请人：沈阳工业大学

一种基于双材料栅介质的双栅隧穿场效应晶体管

专利号：CN202211222956.7

公布日：2022-12-27

申请人：西安邮电大学

源漏对称可互换双括号形栅控隧穿晶体管及其制造方法

专利号：CN201711046023.6

公布日：2019-11-22

申请人：沈阳工业大学

倒U栅辅控双侧栅主控双向隧穿晶体管及其制造方法

专利号：CN201711050857.4

公布日：2019-08-02

申请人：沈阳工业大学

分立双矩形栅控U形沟道源漏双隧穿晶体管及其制造方法

专利号：CN201711046246.2

公布日：2019-10-15

申请人：沈阳工业大学

一种无结型双栅线隧穿场效应晶体管

专利号：CN201910023720.2

公布日：2021-07-06

申请人：电子科技大学

具有突变隧穿结的UTB‑SOI隧穿场效应晶体管及制备方法

专利号：CN201510556242.3

公布日：2017-11-21

申请人：西安科技大学

双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管

专利号：CN201410057748.5

公布日：2014-05-28

申请人：重庆大学

双括号形栅控双向开关隧穿晶体管及其制造方法

专利号：CN201711046024.0

公布日：2020-04-03

申请人：沈阳工业大学

一种基于硅基的可调控双栅隧穿场效应晶体管

专利号：CN202211222502.X

公布日：2022-12-20

申请人：西安邮电大学

垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法

专利号：CN201310084972.9

公布日：2013-06-12

申请人：北京大学

一种隧穿场效应晶体管及其制作方法

专利号：CN201680055102.0

公布日：2018-06-08

申请人：华为技术有限公司

磁阻式存储器结构

专利号：CN201910119591.7

公布日：2023-05-12

申请人：联华电子股份有限公司

多级耦合栅隧穿场效应晶体管及制作方法

专利号：CN201911217900.0

公布日：2021-07-06

申请人：西安电子科技大学

隧穿晶体管及隧穿晶体管的制备方法

专利号：CN201580077845.3

公布日：2021-03-30

申请人：华为技术有限公司