集成电路装置的形成方法

专利号：CN201910281684.X

公布日：2020-02-11

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体器件及方法

专利号：CN202110049095.6

公布日：2021-09-17

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体装置

专利号：CN202110972491.6

公布日：2022-04-22

申请人：三星电子株式会社

半导体器件及其制造方法

专利号：CN202011291470.X

公布日：2021-09-10

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体装置

专利号：CN202110894963.0

公布日：2022-01-28

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

穿隧式场效晶体管

专利号：CN201811002450.9

公布日：2019-06-07

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进

专利号：CN201811098848.7

公布日：2022-10-28

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

双侧接触开关中的电容平衡

专利号：CN201980083891.2

公布日：2021-08-06

申请人：高通股份有限公司

半导体装置

专利号：CN202221832715.X

公布日：2022-10-28

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体结构

专利号：CN201811243635.9

公布日：2019-05-21

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体器件及其制造方法

专利号：CN201611114382.6

公布日：2020-08-11

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置

专利号：CN202010657486.1

公布日：2021-01-19

申请人：美光科技公司

半导体结构、半导体器件及其制造方法

专利号：CN201910768199.5

公布日：2022-09-16

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体装置

专利号：CN201310410699.4

公布日：2017-03-01

申请人：台达电子工业股份有限公司

低电容低RC环绕接触

专利号：CN202180084899.8

公布日：2023-08-15

申请人：国际商业机器公司