一种半导体装置及其制造方法

专利号：CN202210123457.6

公布日：2022-05-24

申请人：晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司

双侧接触开关中的电容平衡

专利号：CN201980083891.2

公布日：2021-08-06

申请人：高通股份有限公司

晶体管及制作方法

专利号：CN202010393413.6

公布日：2022-07-15

申请人：北京华碳元芯电子科技有限责任公司

半导体晶体管器件及其形成方法

专利号：CN202110185545.4

公布日：2021-07-27

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体器件和包括该半导体器件的图像传感器

专利号：CN202211407805.9

公布日：2023-05-12

申请人：三星电子株式会社

半导体装置的形成方法

专利号：CN202110782913.3

公布日：2022-02-22

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

运行期间在半桥中的功率开关的漏极到源极监控

专利号：CN202211136104.6

公布日：2023-03-24

申请人：英飞凌科技股份有限公司

半导体结构、半导体器件及其制造方法

专利号：CN201910768199.5

公布日：2022-09-16

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

用于堆叠晶体管的环绕式接触部

专利号：CN202211440450.3

公布日：2023-06-23

申请人：英特尔公司

晶体管及制作方法

专利号：CN202010393423.X

公布日：2022-07-15

申请人：北京华碳元芯电子科技有限责任公司

具有漏极通孔布置的晶体管管芯以及其制造方法

专利号：CN201811143631.3

公布日：2023-09-15

申请人：恩智浦美国有限公司

CMOS晶体管及其制作方法

专利号：CN200910045974.0

公布日：2010-07-21

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

阵列基板和阵列基板的制备方法

专利号：CN202210272069.4

公布日：2022-07-01

申请人：广州华星光电半导体显示技术有限公司

半导体器件及其制造方法

专利号：CN202210657728.6

公布日：2023-03-21

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

沟道蚀刻薄膜晶体管

专利号：CN03103798.4

公布日：2003-09-03

申请人：日本电气株式会社