半导体结构及其形成方法

专利号：CN202011278811.X

公布日：2022-05-17

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

一种共源共栅放大器偏置方法、装置及偏置电路

专利号：CN202111187491.1

公布日：2022-02-25

申请人：广州安凯微电子股份有限公司

集成电路装置的形成方法

专利号：CN201910281684.X

公布日：2020-02-11

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体器件及方法

专利号：CN202110049095.6

公布日：2021-09-17

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种超快脉冲测试系统、测试方法及装置

专利号：CN202210804613.5

公布日：2022-10-11

申请人：中国科学院微电子研究所

半导体装置

专利号：CN202110972491.6

公布日：2022-04-22

申请人：三星电子株式会社

半导体器件及其制造方法

专利号：CN202011291470.X

公布日：2021-09-10

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体装置

专利号：CN202110894963.0

公布日：2022-01-28

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN201710612272.0

公布日：2021-03-09

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

穿隧式场效晶体管

专利号：CN201811002450.9

公布日：2019-06-07

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种半导体结构及其制造方法

专利号：CN201110182573.7

公布日：2013-01-02

申请人：中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构及方法

专利号：CN201410357338.2

公布日：2017-03-15

申请人：上海华力微电子有限公司

CMOS中N型源漏注入对准度的监控结构及方法

专利号：CN201410357182.8

公布日：2017-03-01

申请人：上海华力微电子有限公司

NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进

专利号：CN201811098848.7

公布日：2022-10-28

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

双侧接触开关中的电容平衡

专利号：CN201980083891.2

公布日：2021-08-06

申请人：高通股份有限公司