消除区熔用硅棒内部应力的方法

专利号：CN202310144377.3

公布日：2023-04-28

申请人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司

一种镁合金用速熔硅及其制备方法和使用方法

专利号：CN202310549348.5

公布日：2023-09-29

申请人：山西银光华盛镁业股份有限公司

一种直拉单晶硅生产用的熔硅装置及熔硅方法

专利号：CN202110026219.9

公布日：2021-05-28

申请人：浙江旭盛电子有限公司

由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法

专利号：CN96110663.8

公布日：2002-04-10

申请人：MEMC电子材料有限公司

一种直拉单晶水冷屏用辅助结构

专利号：CN202321297468.2

公布日：2023-10-10

申请人：内蒙古中环晶体材料有限公司

光伏产业用硅制备方法

专利号：CN200610146233.8

公布日：2007-08-01

申请人：佟新廷;兖州市大成化工有限公司

一种蒸镀用硅预熔方法

专利号：CN201810562623.6

公布日：2019-12-10

申请人：潍坊华光光电子有限公司

一种晶硅熔炉用熔硅液面测距组件以及一种晶硅熔炉

专利号：CN201220591077.7

公布日：2013-04-24

申请人：英利能源（中国）有限公司

太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法及太阳能电池

专利号：CN201580072597.3

公布日：2020-11-06

申请人：信越化学工业株式会社

一种单晶炉硅棒拉制用降氧装置

专利号：CN202310468548.8

公布日：2023-07-21

申请人：苏州晨晖智能设备有限公司;云南宇泽半导体有限公司

一种铝合金用添加剂速熔硅中硅含量的测试方法

专利号：CN202210436356.4

公布日：2022-09-02

申请人：洛阳龙鼎铝业有限公司

铝锌硅镀锅用喷流型感应体熔沟模

专利号：CN201320047116.1

公布日：2013-07-10

申请人：西安中威电器有限责任公司

无片状共晶硅的过共晶铝硅合金的制备方法

专利号：CN202010243568.1

公布日：2020-06-26

申请人：辽宁工业大学

一种太阳能电池用高纯度硅及其生产方法

专利号：CN02135841.9

公布日：2004-06-09

申请人：郑智雄

真空包内快速熔硅的铝硅合金化方法

专利号：CN202011147879.4

公布日：2021-11-05

申请人：包头铝业有限公司;内蒙古华云新材料有限公司