带应力电路的半导体集成电路及其应力电压的供给方法

专利号：CN95103297.6

公布日：1999-02-03

申请人：三星电子株式会社

电压应力测试电路和电压应力测试系统

专利号：CN201320174954.5

公布日：2013-12-18

申请人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司

热载流子注入效应的寿命评估方法和系统

专利号：CN201711406758.5

公布日：2018-05-18

申请人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所

一种温度和电压应力下SiC功率管阈值电压退化模型

专利号：CN202010937568.1

公布日：2020-12-18

申请人：南京航空航天大学

一种恒定电场应力偏压温度不稳定性的测试方法和装置

专利号：CN201911085878.9

公布日：2022-05-03

申请人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））

EVS测试电路、EVS测试系统和EVS测试方法

专利号：CN201310121988.2

公布日：2013-10-23

申请人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司

半导体存储器件应力状态的自动测试设备

专利号：CN92100721.3

公布日：1993-03-10

申请人：三星电子株式会社

一种通过分Bin降低SiC模块高温电压应力的方法

专利号：CN202310298582.5

公布日：2023-07-21

申请人：浙江伊控动力系统有限公司

监控电路与半导体器件

专利号：CN202210379954.2

公布日：2022-07-15

申请人：长江存储科技有限责任公司

功率器件开关速度控制方法、装置及电驱动系统

专利号：CN202310593577.7

公布日：2023-08-15

申请人：小米汽车科技有限公司

一种MEMS器件及其制造方法

专利号：CN202211691115.0

公布日：2023-04-18

申请人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

TDDB失效预警电路

专利号：CN201310754731.0

公布日：2014-04-02

申请人：工业和信息化部电子第五研究所

宽禁带功率半导体场效应晶体管动态特性测量装置及方法

专利号：CN202210362114.5

公布日：2022-07-08

申请人：中山大学

基于消除无源器件的方式分析电力电子器件应力的方法

专利号：CN201911115636.X

公布日：2021-09-07

申请人：东北电力大学

MRAM单元的加速寿命试验

专利号：CN200480024432.0

公布日：2006-10-04

申请人：飞思卡尔半导体公司