一种IGBT器件

专利号：CN202211103640.6

公布日：2023-07-21

申请人：苏州华太电子技术股份有限公司

一种电场治疗系统

专利号：CN202310098734.7

公布日：2023-09-19

申请人：赛福凯尔（绍兴）医疗科技有限公司

一种二极管器件

专利号：CN202211102827.4

公布日：2023-08-01

申请人：苏州华太电子技术股份有限公司

风电场功率控制方法、装置、控制设备及存储介质

专利号：CN202210749566.9

公布日：2022-08-26

申请人：飞腾信息技术有限公司

一种基于电荷平衡的碳化硅浮动结JBS设计方法

专利号：CN202310477181.6

公布日：2023-08-18

申请人：西安电子科技大学

一种SiC沟槽型MOSFET器件

专利号：CN202310521199.1

公布日：2023-08-29

申请人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心

一种SiC MOSFET器件及其制备方法

专利号：CN202110746585.1

公布日：2023-09-12

申请人：南瑞联研半导体有限责任公司

一种台风灾害下的风电场出力曲线模拟生成方法及装置

专利号：CN202211179481.8

公布日：2022-12-20

申请人：广东电网有限责任公司;南方电网科学研究院有限责任公司

半导体装置及其制造方法

专利号：CN201280067175.3

公布日：2017-02-22

申请人：三菱电机株式会社

功率半导体器件的3D‑RESURF终端结构及其制造方法

专利号：CN201710495729.4

公布日：2017-11-03

申请人：电子科技大学

采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构及制造方法

专利号：CN201410614652.4

公布日：2015-03-04

申请人：中国东方电气集团有限公司

超级结器件结构及其形成方法

专利号：CN202211509788.X

公布日：2023-03-17

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

一种海上风电场的发电出力监测方法、装置、终端和介质

专利号：CN202211223885.2

公布日：2023-04-07

申请人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司电力科学研究院

降低LDMOS器件峰值电场的版图结构及方法

专利号：CN201210460902.4

公布日：2014-05-21

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

一种电路板

专利号：CN201610004653.6

公布日：2017-07-11

申请人：中兴通讯股份有限公司