半导体结构的形成方法

专利号：CN202010760778.8

公布日：2022-02-18

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

互连结构及其形成方法

专利号：CN201611076275.9

公布日：2021-05-04

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN202010923861.2

公布日：2022-03-04

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备

专利号：CN201910760041.3

公布日：2022-05-17

申请人：中芯集成电路（宁波）有限公司

互连结构的形成方法

专利号：CN201510817979.6

公布日：2019-11-01

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

显示面板以及显示装置

专利号：CN201811655144.5

公布日：2021-04-30

申请人：武汉天马微电子有限公司

增强型GaN场效应晶体管及其制造方法

专利号：CN201910718621.6

公布日：2022-12-09

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

一种盖帽及具有该盖帽的电池

专利号：CN202010901366.1

公布日：2020-11-10

申请人：惠州亿纬锂能股份有限公司;惠州亿纬创能电池有限公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN202010531867.5

公布日：2021-12-17

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

一种盖帽及具有该盖帽的电池

专利号：CN202021866637.6

公布日：2021-06-01

申请人：惠州亿纬锂能股份有限公司;惠州亿纬创能电池有限公司

栅极结构、晶体管器件及其制备方法

专利号：CN202310376546.6

公布日：2023-08-29

申请人：湖南三安半导体有限责任公司

一种显示面板和显示装置

专利号：CN201921726793.X

公布日：2020-06-23

申请人：昆山国显光电有限公司

一种锂电池盖帽镀镍层硬度的检测方法

专利号：CN202111157902.2

公布日：2022-01-14

申请人：苏州橙柳电子精密有限公司

一种常关型氧化镓基MIS-HFET器件

专利号：CN202110493226.X

公布日：2022-09-13

申请人：厦门大学

铜互连结构及其形成方法

专利号：CN201210142981.4

公布日：2013-11-13

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司