一种利用电场辅助固相法单晶快速生长的方法

专利号：CN202310928985.3

公布日：2023-10-20

申请人：东莞理工学院

一种快速制备NiSn4

专利号：CN202010337787.6

公布日：2021-04-06

申请人：上海工程技术大学

籽晶偏角导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶的方法

专利号：CN202110266111.7

公布日：2022-12-27

申请人：中国电子科技集团公司第四十六研究所

层积基板及其制造方法和金刚石膜及其制造方法

专利号：CN200910253987.7

公布日：2010-07-14

申请人：信越化学工业株式会社

一种用于制备单晶包层的方法及装置

专利号：CN202110814718.4

公布日：2022-06-03

申请人：眉山博雅新材料股份有限公司

一种单晶高温合金共晶组织和粗大γ′相的图谱检测方法

专利号：CN201510800222.6

公布日：2016-01-20

申请人：中国航空工业集团公司北京航空材料研究院

六角相三氧化二铈单晶薄膜及其制备方法与应用

专利号：CN202010318599.9

公布日：2020-06-30

申请人：中国工程物理研究院材料研究所

一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法

专利号：CN201811476667.3

公布日：2020-06-12

申请人：有研半导体材料有限公司

非极性/半极性氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法

专利号：CN201910038242.2

公布日：2022-04-19

申请人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

考虑拓扑密排相演化的镍基单晶合金蠕变寿命预测方法

专利号：CN201911221880.4

公布日：2022-07-19

申请人：西北工业大学

一种测量镍基单晶高温合金中γ′相体积分数的方法

专利号：CN201710765633.5

公布日：2018-01-19

申请人：华能国际电力股份有限公司;西安热工研究院有限公司

硅半导体晶片及其制造方法

专利号：CN201110063018.2

公布日：2011-09-07

申请人：硅电子股份公司

一种六角相三氧化二铈单晶薄膜的制备方法

专利号：CN202210097923.8

公布日：2022-05-10

申请人：中国工程物理研究院材料研究所

镍基单晶合金模型构建方法、装置、存储介质及设备

专利号：CN202110962868.X

公布日：2021-12-10

申请人：西北工业大学

一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜

专利号：CN201310097906.5

公布日：2013-12-04

申请人：上海显恒光电科技股份有限公司