锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用

专利号：CN202110274722.6

公布日：2023-07-21

申请人：中国科学院物理研究所

砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法

专利号：CN202210311792.9

公布日：2022-08-05

申请人：深圳市汇芯通信技术有限公司

柔性钙钛矿量子点薄膜-砷化镓异质结电池及其制备方法

专利号：CN201810892054.1

公布日：2020-02-21

申请人：东泰高科装备科技（北京）有限公司

异质结双极晶体管及其制造方法

专利号：CN202310345435.9

公布日：2023-06-27

申请人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

砷化镓异质结双极晶体管及其制作方法

专利号：CN202211026754.5

公布日：2022-11-04

申请人：苏州晶歌半导体有限公司

性能提高的砷化镓异质结双极晶体管及其制造方法

专利号：CN200480005197.2

公布日：2006-03-29

申请人：斯盖沃克斯瑟路申斯公司

一种InGaAs纳米异质结红外探测器线阵列及其制备方法

专利号：CN201210226839.8

公布日：2014-01-22

申请人：吉林师范大学

低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计

专利号：CN200310110889.0

公布日：2005-05-18

申请人：四川大学

钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池

专利号：CN201611256820.2

公布日：2019-07-12

申请人：中国电子科技集团公司第十八研究所

石墨烯/三氧化二铝/砷化镓太赫兹探测器及其制作方法

专利号：CN201910865062.1

公布日：2020-02-11

申请人：浙江大学

一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管

专利号：CN201611076133.2

公布日：2017-04-26

申请人：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院

一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法

专利号：CN202010403729.9

公布日：2020-08-25

申请人：南京晶碳纳米科技有限公司;南京微米电子产业研究院有限公司

砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管

专利号：CN02124452.9

公布日：2003-12-31

申请人：中国科学院微电子中心

一种集成芯片及其制作方法和集成电路

专利号：CN202010075367.5

公布日：2023-01-31

申请人：深圳市汇芯通信技术有限公司

一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法

专利号：CN202111243885.4

公布日：2022-03-08

申请人：南昌凯迅光电股份有限公司