本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器

专利号：CN201710891577.X

公布日：2020-03-27

申请人：中国计量大学

1.3微米高密度量子点结构及其制备方法

专利号：CN200410009992.0

公布日：2006-06-14

申请人：中国科学院半导体研究所

具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器

专利号：CN200910237780.0

公布日：2010-12-15

申请人：中国科学院半导体研究所

宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法

专利号：CN200610002667.0

公布日：2007-08-01

申请人：中国科学院半导体研究所

一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池

专利号：CN201710498727.0

公布日：2019-01-04

申请人：海门市绣羽工业设计有限公司

长波长砷化铟/砷化镓量子点材料

专利号：CN200610088947.8

公布日：2008-01-30

申请人：中国科学院半导体研究所

一种砷化镓电池散热结构

专利号：CN202210776874.0

公布日：2022-09-09

申请人：史博鑫

一种砷化镓电池散热结构

专利号：CN202210960137.6

公布日：2022-11-01

申请人：史博鑫

室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法

专利号：CN201510976237.8

公布日：2017-06-30

申请人：北京大学

砷化镓基半导体器件的制造方法

专利号：CN202011468551.2

公布日：2021-03-23

申请人：度亘激光技术(苏州)有限公司

一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法

专利号：CN202110440484.1

公布日：2021-11-09

申请人：湖南汇思光电科技有限公司

自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法

专利号：CN03137828.5

公布日：2004-11-24

申请人：中国科学院半导体研究所

一种基于砷化镓p-n结器件的β型核电池

专利号：CN202111185180.1

公布日：2022-01-11

申请人：东华理工大学

一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路

专利号：CN202110996272.1

公布日：2023-02-28

申请人：深圳市汇芯通信技术有限公司

一种向砷化镓材料引入杂质并加以激活的方法

专利号：CN201811485333.2

公布日：2021-04-20

申请人：北京大学