像素单元的FD有源区结构及其制备方法及CMOS图像传感器

专利号：CN200810241085.7

公布日：2009-06-17

申请人：北京思比科微电子技术有限公司

具有岛状分布结构的半导体芯片及其制造方法

专利号：CN200610163133.6

公布日：2007-06-06

申请人：尔必达存储器株式会社;株式会社日立制作所

太阳能电池及其制造方法

专利号：CN201410143530.1

公布日：2016-08-10

申请人：新日光能源科技股份有限公司

一种半导体结构及其制造方法

专利号：CN201010145265.2

公布日：2011-10-12

申请人：中国科学院微电子研究所

半导体发光装置及其制造方法

专利号：CN200780003900.X

公布日：2009-02-25

申请人：三垦电气株式会社

一种硅的深沟槽形成方法和半导体结构

专利号：CN201710038632.0

公布日：2017-06-20

申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司

半导体装置

专利号：CN202310128708.4

公布日：2023-08-18

申请人：联发科技股份有限公司

半导体装置及其制造方法

专利号：CN200610075163.1

公布日：2006-11-01

申请人：尔必达存储器株式会社

包括分布电流的硅通孔的半导体装置

专利号：CN201811580255.4

公布日：2019-08-06

申请人：三星电子株式会社

半导体器件及其制造方法

专利号：CN201210439014.4

公布日：2013-06-19

申请人：爱思开海力士有限公司

半导体元件和半导体元件的制造方法

专利号：CN202280009609.8

公布日：2023-09-15

申请人：日亚化学工业株式会社

具有高机械强度的半导体封装

专利号：CN201811529570.4

公布日：2019-06-28

申请人：万国半导体（开曼）股份有限公司

光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法

专利号：CN200610072418.9

公布日：2007-10-17

申请人：新日光能源科技股份有限公司

CMOS电路结构、其制作方法、显示基板及显示装置

专利号：CN201510103672.X

公布日：2017-11-10

申请人：京东方科技集团股份有限公司

半导体衬底及其制造方法以及半导体器件

专利号：CN200510055305.3

公布日：2005-09-21

申请人：株式会社东芝