硅通孔背面露头的方法和装置

专利号：CN201380075888.9

公布日：2019-03-29

申请人：盛美半导体设备(上海)有限公司

硅结构及其制造方法

专利号：CN200810129548.0

公布日：2008-12-31

申请人：日本电气株式会社

陶瓷体上硅衬底的制备方法

专利号：CN201710940454.0

公布日：2020-04-21

申请人：苏州研材微纳科技有限公司

一种复合衬底的制备方法、复合衬底及复合薄膜

专利号：CN202011592201.7

公布日：2022-03-15

申请人：济南晶正电子科技有限公司

一种硅衬底LED发光芯片的表面处理方法

专利号：CN201510058552.2

公布日：2016-10-05

申请人：深圳市立洋光电子有限公司

基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法

专利号：CN201410212952.X

公布日：2014-07-30

申请人：中国工程物理研究院电子工程研究所

硅基GaN薄膜的制造方法

专利号：CN201110377023.0

公布日：2013-06-05

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

一种检测硅衬底质量的方法

专利号：CN201410856256.2

公布日：2018-08-24

申请人：杭州士兰集成电路有限公司

具有沟道式硅衬底的HEMT器件

专利号：CN201720125139.8

公布日：2017-08-11

申请人：江苏能华微电子科技发展有限公司

防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法

专利号：CN201610703032.7

公布日：2019-01-18

申请人：上海华力微电子有限公司

硅通孔封装结构的形成方法

专利号：CN201210299744.9

公布日：2014-03-12

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

单晶硅局域SOI衬底及光电器件

专利号：CN201921122280.8

公布日：2020-05-22

申请人：上海新微技术研发中心有限公司

一种硅基三维异构集成的射频微系统及其制造方法

专利号：CN201810034938.3

公布日：2018-05-29

申请人：杭州臻镭微波技术有限公司

一种硅基三维异构集成的射频微系统

专利号：CN201820060293.6

公布日：2018-09-14

申请人：杭州臻镭微波技术有限公司

SOI衬底制备方法和SOI衬底

专利号：CN201480037255.3

公布日：2019-07-19

申请人：华为技术有限公司