红外响应改进的多层半导体基体以及其上形成的图像传感器

专利号：CN200610005998.X

公布日：2006-09-06

申请人：豪威科技有限公司

CMOS结构及其制造方法

专利号：CN200810082061.1

公布日：2008-09-17

申请人：国际商业机器公司

一种纯相硅锗合金固溶体颗粒及其制备方法

专利号：CN201910529645.7

公布日：2019-08-30

申请人：四川大学

一种双轴张应变锗硅量子阱调制器、集成光电子器件

专利号：CN202211154464.9

公布日：2022-12-23

申请人：华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所）

锗硅半导体合金的制备方法

专利号：CN201611026168.5

公布日：2017-05-31

申请人：英诺赛科（珠海）科技有限公司

半导体装置及其制造方法

专利号：CN201110418429.9

公布日：2012-07-04

申请人：格罗方德半导体公司

一种P型热电材料GeSi靶材及其制备方法

专利号：CN202111083905.6

公布日：2022-10-04

申请人：先导薄膜材料（广东）有限公司

一种硅锗合金材料的制备方法

专利号：CN200810103291.1

公布日：2009-10-07

申请人：北京有色金属研究总院

一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件

专利号：CN201811529867.0

公布日：2020-05-19

申请人：华中科技大学

在外延生长源漏区上选择性淀积覆盖层的结构与制造方法

专利号：CN200780010781.0

公布日：2009-04-15

申请人：英特尔公司

一种硅锗合金基热电元件及其制备方法

专利号：CN201610209315.6

公布日：2019-08-16

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

一种用于制作嵌入式硅锗应变PMOS器件的方法

专利号：CN201410509890.9

公布日：2014-12-24

申请人：上海集成电路研发中心有限公司

一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅晶锭的方法

专利号：CN202210900279.3

公布日：2022-10-11

申请人：浙江大学杭州国际科创中心

一种纳－微米多孔硅锗合金热电材料的制备方法

专利号：CN200510012295.5

公布日：2006-02-08

申请人：北京科技大学

一种硅锗合金复合材料的制备方法及其应用

专利号：CN201910477890.8

公布日：2019-08-16

申请人：哈尔滨工业大学