一种二硒化钨的制备方法

专利号：CN202210686584.7

公布日：2022-08-19

申请人：济南大学

一种二维硒化钨的生长方法

专利号：CN202211536717.9

公布日：2023-03-21

申请人：中国人民解放军国防科技大学

硒化钨的减薄方法及硒化钨材料与场效应晶体管

专利号：CN202310285266.4

公布日：2023-06-30

申请人：深圳信息职业技术学院;哈尔滨工业大学（深圳）

二硫化钨/二硒化钨电极材料、制备方法及其应用

专利号：CN202310145892.3

公布日：2023-06-06

申请人：中国石油大学（华东）

化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶薄膜的方法

专利号：CN202310938576.1

公布日：2023-10-24

申请人：河北工业大学

一种基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器

专利号：CN201811326761.0

公布日：2019-02-01

申请人：清华大学

基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器

专利号：CN201821836232.0

公布日：2019-09-27

申请人：清华大学

可调双频太赫兹吸收器

专利号：CN201910346269.8

公布日：2020-10-30

申请人：中国计量大学上虞高等研究院有限公司

一种二硒化钨或二硒化钼/金纳米粒子复合材料及其制备方法

专利号：CN202111397417.2

公布日：2022-01-21

申请人：集美大学

一种二硒化钨纳米片及其制备方法

专利号：CN202211055704.X

公布日：2022-11-22

申请人：西北工业大学

场效应晶体管及其制备方法

专利号：CN202211004902.3

公布日：2022-11-18

申请人：深圳信息职业技术学院

一种基于二硒化钨的柔性离子传感器

专利号：CN201810550806.6

公布日：2018-11-20

申请人：清华大学

基于二硒化钨的柔性离子传感器

专利号：CN201820835809.X

公布日：2019-01-11

申请人：清华大学

熔融盐辅助化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶的方法

专利号：CN202010181843.1

公布日：2020-06-19

申请人：华中科技大学

纳米二硒化钨修饰金电极光致电化学传感器检测多巴胺的方法

专利号：CN201910183755.2

公布日：2021-02-19

申请人：青岛科技大学