半导体器件以及在半导体器件中形成图案的方法

专利号：CN200710112493.8

公布日：2008-07-02

申请人：海力士半导体有限公司

制造三维半导体器件的方法

专利号：CN201810445608.3

公布日：2023-09-15

申请人：三星电子株式会社

在线端部形成自对准顶部通孔

专利号：CN202080066459.5

公布日：2022-04-29

申请人：国际商业机器公司

利用氟化氩曝光光源制造半导体器件的方法

专利号：CN200310123524.1

公布日：2004-07-14

申请人：海力士半导体有限公司

图案化目标层的制备方法

专利号：CN201810120144.9

公布日：2021-09-21

申请人：南亚科技股份有限公司

CMOS反相器的栅极的形成方法

专利号：CN201310398646.5

公布日：2017-07-14

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

形成半导体器件的方法

专利号：CN202211226835.X

公布日：2023-04-14

申请人：三星电子株式会社

刻蚀方法

专利号：CN201410301926.4

公布日：2018-06-29

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

半导体器件以及在半导体器件中形成图案的方法

专利号：CN200710111468.8

公布日：2008-07-02

申请人：海力士半导体有限公司

隔离结构的制造方法

专利号：CN201610903787.1

公布日：2020-10-20

申请人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司

硬掩模层返工方法及DMOS形成方法

专利号：CN202211373128.3

公布日：2023-02-10

申请人：合肥晶合集成电路股份有限公司

制造半导体装置的方法

专利号：CN201811285152.5

公布日：2019-06-11

申请人：三星电子株式会社

半导体器件中用硬掩模层的蚀刻斜坡形成精细图案的方法

专利号：CN200710195941.5

公布日：2008-09-24

申请人：海力士半导体有限公司

等离子体处理系统中优化基片蚀刻的方法

专利号：CN200580008542.2

公布日：2007-07-11

申请人：朗姆研究公司

用于自对准互连件、插塞和过孔的织物式图案化

专利号：CN202210111900.8

公布日：2022-05-06

申请人：英特尔公司