一种赝磁性隧道结单元

专利号：CN201910290616.X

公布日：2020-10-23

申请人：上海磁宇信息科技有限公司

一种磁性隧道结存储阵列单元及其外围电路的制备方法

专利号：CN201910290608.5

公布日：2020-10-23

申请人：上海磁宇信息科技有限公司

一种假磁性隧道结单元结构制备方法

专利号：CN201910176223.6

公布日：2020-09-15

申请人：上海磁宇信息科技有限公司

形成不含接触孔的纳米尺寸的磁性隧道结单元的方法

专利号：CN200510004452.8

公布日：2005-08-10

申请人：三星电子株式会社

半导体装置、磁性隧道结及其制造方法

专利号：CN201580073144.2

公布日：2020-08-07

申请人：美光科技公司

倒置的宽基底双磁性隧道结器件

专利号：CN202180020436.5

公布日：2022-11-01

申请人：国际商业机器公司

磁性隧道结单元和制备磁性隧道结单元的方法

专利号：CN201410283814.0

公布日：2019-02-12

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

双磁隧道结装置

专利号：CN202180081783.9

公布日：2023-08-25

申请人：国际商业机器公司

一种替代通孔的赝磁性隧道结单元制备方法

专利号：CN201910433648.0

公布日：2020-11-24

申请人：上海磁宇信息科技有限公司

一种用于磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元筛选方法

专利号：CN201710899558.1

公布日：2021-05-11

申请人：上海磁宇信息科技有限公司

一种磁性隧道结存储阵列单元及其外围电路的制备方法

专利号：CN201910290610.2

公布日：2020-10-23

申请人：上海磁宇信息科技有限公司

一种磁性随机储存器及制备方法

专利号：CN202310999753.7

公布日：2023-10-17

申请人：苏州凌存科技有限公司

磁性隧道结装置及制造

专利号：CN201080020987.3

公布日：2012-04-18

申请人：高通股份有限公司

一种横向修剪缩微磁性隧道结图案的方法

专利号：CN201611129951.4

公布日：2021-12-17

申请人：上海磁宇信息科技有限公司

隧道结结构及其制造方法和磁敏传感器

专利号：CN98108447.8

公布日：2004-09-15

申请人：富士通株式会社