一种改善晶圆环状颗粒缺陷的方法

专利号：CN202310539340.0

公布日：2023-08-15

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法

专利号：CN201811042338.8

公布日：2019-01-04

申请人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司

等离子体刻蚀机反应腔的内衬及等离子体刻蚀机反应腔

专利号：CN201621426926.8

公布日：2017-08-22

申请人：江苏鲁汶仪器有限公司

非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备

专利号：CN201810769894.9

公布日：2020-01-21

申请人：北京北方华创微电子装备有限公司

等离子体刻蚀电介质层的方法

专利号：CN200810205372.2

公布日：2009-06-24

申请人：中微半导体设备（上海）有限公司

等离子体刻蚀腔体内刻蚀气体调节方法

专利号：CN201110141770.4

公布日：2011-11-02

申请人：中微半导体设备（上海）有限公司

一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法

专利号：CN201410005319.3

公布日：2014-04-16

申请人：中国科学院微电子研究所

等离子体刻蚀方法

专利号：CN201310312153.5

公布日：2017-07-21

申请人：中微半导体设备（上海）有限公司

一种在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法

专利号：CN201110449965.5

公布日：2013-07-03

申请人：中微半导体设备（上海）有限公司

等离子体刻蚀的终点监测方法

专利号：CN200710094531.1

公布日：2009-06-17

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种等离子体刻蚀方法和系统

专利号：CN201310728956.9

公布日：2018-10-16

申请人：中微半导体设备（上海）有限公司

一种无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法

专利号：CN201110133617.7

公布日：2012-04-11

申请人：上海华力微电子有限公司

实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法

专利号：CN202211641268.4

公布日：2023-04-11

申请人：西安理工大学

释放等离子体刻蚀过程产生的晶圆充电电荷的方法

专利号：CN202310067215.4

公布日：2023-04-11

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司

去除伪栅的方法

专利号：CN201410239069.X

公布日：2019-01-22

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司