一种提高耐压的屏蔽栅MOSFET终端结构

专利号：CN201721256864.5

公布日：2018-04-10

申请人：无锡紫光微电子有限公司

功率半导体元件

专利号：CN201810515442.8

公布日：2019-10-29

申请人：力智电子股份有限公司

具有改进的边缘终端的功率器件

专利号：CN200780011878.3

公布日：2009-06-17

申请人：飞兆半导体公司

基于空间使用程度的终端区空域利用率评估方法

专利号：CN202011075080.9

公布日：2022-09-06

申请人：天津航大天元航空技术有限公司

一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构

专利号：CN201210227688.8

公布日：2012-10-31

申请人：东南大学

一种沟槽型双层栅功率器件及其制造方法

专利号：CN202210911330.0

公布日：2022-12-02

申请人：深圳基本半导体有限公司

手提包固定夹

专利号：CN200480036227.6

公布日：2007-01-03

申请人：克斯迪安·格施文德

基于环境影响的终端区航线网络优化方法

专利号：CN201710417013.2

公布日：2019-05-24

申请人：南京航空航天大学

一种节省终端区面积的屏蔽栅MOSFET芯片

专利号：CN202020413494.7

公布日：2021-01-01

申请人：深圳市谷峰电子有限公司

区域管制中心与终端区ATC系统的飞行计划同步方法

专利号：CN202010872109.X

公布日：2021-09-24

申请人：成都民航空管科技发展有限公司;中国民用航空总局第二研究所

一种基于服务资源供需平衡的机场终端区容量预测方法

专利号：CN202210333488.4

公布日：2023-04-21

申请人：中国民用航空飞行学院

功率半导体器件的终端制作方法、终端结构、器件及芯片

专利号：CN202310462493.X

公布日：2023-08-01

申请人：深圳基本半导体有限公司

功率半导体器件及其制作方法

专利号：CN202310762806.3

公布日：2023-09-19

申请人：清华大学

一种超结功率器件终端结构

专利号：CN201210443873.0

公布日：2013-03-13

申请人：电子科技大学

一种沟槽有源区结构的碳化硅功率器件

专利号：CN202211057525.X

公布日：2023-01-03

申请人：西安电子科技大学