具有自对准背侧特征的半导体器件

专利号：CN201580041881.4

公布日：2019-11-15

申请人：高通股份有限公司

一种绝缘体上半导体材料衬底结构及其制备方法

专利号：CN201611243728.2

公布日：2019-05-31

申请人：中国科学院微电子研究所

绝缘体上半导体构造中的电熔丝

专利号：CN201610344427.2

公布日：2019-03-08

申请人：格罗方德半导体公司

一种SOI衬底隔离的形成方法

专利号：CN201110044647.0

公布日：2012-08-22

申请人：中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

创建场效应晶体管器件中的各向异性扩散结

专利号：CN201180054201.4

公布日：2013-07-10

申请人：国际商业机器公司

绝缘体上半导体衬底的制造方法及半导体器件的制造方法

专利号：CN202310451008.9

公布日：2023-07-04

申请人：中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN200610008395.5

公布日：2006-09-27

申请人：国际商业机器公司

应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法

专利号：CN200580028046.3

公布日：2007-09-26

申请人：康宁股份有限公司

包含绝缘体上半导体区和主体区的半导体结构及形成方法

专利号：CN201310566556.2

公布日：2017-08-29

申请人：格罗方德半导体公司

精加工绝缘体上半导体型衬底的方法

专利号：CN201180013740.3

公布日：2012-11-21

申请人：SOITEC公司

具有多孔硅衬底的绝缘体上硅

专利号：CN201880042946.0

公布日：2020-02-14

申请人：高通股份有限公司

场效应晶体管及其制造方法

专利号：CN200610143709.2

公布日：2007-05-23

申请人：国际商业机器公司

具有背侧散热的绝缘体上半导体

专利号：CN201510430892.3

公布日：2015-11-25

申请人：斯兰纳半导体美国股份有限公司

具有背侧散热的绝缘体上半导体

专利号：CN201080031811.8

公布日：2012-05-23

申请人：IO半导体公司

绝缘体上半导体芯片及其制造方法

专利号：CN03152267.X

公布日：2004-09-08

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司