一种肖特基二极管的元胞结构

专利号：CN202310392327.7

公布日：2023-07-14

申请人：北京智慧能源研究院

一种掺杂的肖特基势垒器件

专利号：CN201420442005.5

公布日：2015-06-03

申请人：上海芯石微电子有限公司

一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法

专利号：CN201710052574.7

公布日：2018-04-20

申请人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所

一种肖特基势垒接触的超势垒整流器

专利号：CN201720104249.6

公布日：2017-10-20

申请人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所

一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法

专利号：CN201710101799.7

公布日：2018-04-20

申请人：重庆中科渝芯电子有限公司

一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器

专利号：CN201720168934.5

公布日：2017-11-21

申请人：重庆中科渝芯电子有限公司

肖特基势垒制作方法及肖特基势垒

专利号：CN201410758156.6

公布日：2015-03-04

申请人：中国电子科技集团公司第四十七研究所

一种低反向漏电流的肖特基二极管与制备方法

专利号：CN202310394327.0

公布日：2023-09-19

申请人：北京智慧能源研究院

具有浮岛的结势垒肖特基二极管

专利号：CN200780033962.5

公布日：2009-08-26

申请人：万国半导体股份有限公司

一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管及其制作方法

专利号：CN202110954158.2

公布日：2021-11-19

申请人：江苏芯唐微电子有限公司

一种具有钛钨层的肖特基势垒二极管及其制造方法

专利号：CN202211079155.X

公布日：2022-11-11

申请人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司

一种低势垒肖特基二极管及其制备方法

专利号：CN201711336861.7

公布日：2018-05-22

申请人：北京世纪金光半导体有限公司

异质结构场效应晶体管

专利号：CN200580023009.3

公布日：2007-06-13

申请人：皇家飞利浦电子股份有限公司

整流器

专利号：CN200980129467.3

公布日：2011-06-29

申请人：佳能株式会社

肖特基半导体装置

专利号：CN201710250669.X

公布日：2018-11-02

申请人：朱江