电压控制的纳米磁性随机数发生器

专利号：CN201410504791.1

公布日：2018-11-20

申请人：英特尔公司

一种线性响应巨磁电阻效应多层膜

专利号：CN200910091793.1

公布日：2011-03-30

申请人：中国科学院物理研究所

一种磁存储器及其制备方法

专利号：CN202111522263.5

公布日：2022-09-02

申请人：致真存储（北京）科技有限公司

磁隧道结、磁电阻随机存储器、芯片及制备方法

专利号：CN201880099442.2

公布日：2021-06-22

申请人：华为技术有限公司

全电控自旋电子神经元器件、神经元电路和神经网络

专利号：CN202110537062.6

公布日：2021-08-31

申请人：中国科学院微电子研究所

磁电随机存储单元及具有其的磁电随机存储器

专利号：CN201110200577.3

公布日：2011-12-28

申请人：清华大学

记忆体元件

专利号：CN202221860694.2

公布日：2022-11-01

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种冷压焊复合触头机冲平片制品成形装置

专利号：CN02276625.1

公布日：2003-09-17

申请人：

基于人工反铁磁自由层的隧道结器件及磁性随机存储装置

专利号：CN201810738861.8

公布日：2020-07-28

申请人：西安交通大学

一种基于铁电/铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元及其调控方法、制备方法

专利号：CN202211732320.7

公布日：2023-03-31

申请人：中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司

磁性隧道结器件

专利号：CN202011431856.6

公布日：2022-06-10

申请人：浙江驰拓科技有限公司

磁性隧道结结构及磁性随机存储器

专利号：CN201910950481.5

公布日：2021-04-09

申请人：上海磁宇信息科技有限公司

具有多层合成铁磁体自由层的读取器

专利号：CN202110320742.2

公布日：2021-09-28

申请人：希捷科技有限公司

STT－MRAM存储单元

专利号：CN201611258855.X

公布日：2017-03-22

申请人：上海集成电路研发中心有限公司

一种磁性结构和自旋转移矩-磁随机存储器及其写入方法

专利号：CN202011586913.8

公布日：2021-04-23

申请人：西安交通大学