蚀刻工具工艺指标方法和装置

专利号：CN201010604277.7

公布日：2011-08-03

申请人：朗姆研究公司

蚀刻工具工艺指标方法和装置

专利号：CN201310482302.2

公布日：2014-01-22

申请人：朗姆研究公司

利用双图案化形成半导体器件的精细图案的方法

专利号：CN200810009731.7

公布日：2008-08-13

申请人：三星电子株式会社

在半导体器件中形成细微图案的方法

专利号：CN200710306330.3

公布日：2008-12-31

申请人：海力士半导体有限公司

在半导体器件中形成微图案的方法

专利号：CN200810149517.1

公布日：2009-03-18

申请人：海力士半导体有限公司

一种形成半导体器件图案的方法

专利号：CN200810087565.2

公布日：2009-07-01

申请人：海力士半导体有限公司

蚀刻液的评估方法

专利号：CN202110578218.5

公布日：2022-05-27

申请人：TCL华星光电技术有限公司

蚀刻偏差表征及其使用方法

专利号：CN202110982964.0

公布日：2021-12-07

申请人：ASML荷兰有限公司

蚀刻偏差表征及其使用方法

专利号：CN201880014016.4

公布日：2021-09-07

申请人：ASML荷兰有限公司

形成原位凹陷结构的方法

专利号：CN200580031424.3

公布日：2007-08-22

申请人：分子制模股份有限公司

一种差异化控制蚀刻深度的方法

专利号：CN201710197655.6

公布日：2019-05-03

申请人：武汉华星光电技术有限公司

一种蚀刻方法

专利号：CN201810751836.3

公布日：2018-12-25

申请人：信利光电股份有限公司

一种形成半导体器件微图案的方法

专利号：CN200810089930.3

公布日：2009-07-01

申请人：海力士半导体有限公司

一种图案化方法及利用该方法制作的层叠体

专利号：CN202010577814.7

公布日：2022-01-07

申请人：北京梦之墨科技有限公司

形成半导体器件微图案的方法

专利号：CN200810125232.4

公布日：2009-07-01

申请人：海力士半导体有限公司