制备具有W/WN/多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法

专利号：CN200510063890.1

公布日：2005-10-12

申请人：尔必达存储器股份有限公司

一种选择蚀刻钨及氮化钛的蚀刻液

专利号：CN202110770187.3

公布日：2023-04-25

申请人：湖北兴福电子材料股份有限公司

一种稳定氮化硅蚀刻速率的无机高选择比蚀刻液

专利号：CN202210789280.3

公布日：2022-11-04

申请人：湖北兴福电子材料有限公司

等离子处理方法

专利号：CN202080004046.4

公布日：2021-10-22

申请人：株式会社日立高新技术

硅氮化膜蚀刻液组合物

专利号：CN201911327311.8

公布日：2022-03-25

申请人：东友精细化工有限公司

一种低选择性的BPSG和PETEOS薄膜的蚀刻液

专利号：CN202011181031.3

公布日：2021-09-07

申请人：湖北兴福电子材料有限公司

一种磷酸基蚀刻液及其配制方法

专利号：CN201811110045.9

公布日：2019-01-04

申请人：湖北兴福电子材料有限公司

一种高蚀刻速率与选择比的铝蚀刻液及其制备方法

专利号：CN201910120450.7

公布日：2022-03-18

申请人：湖北兴福电子材料有限公司

聚硅氧烷类化合物、包含所述聚硅氧烷类化合物的氮化硅层蚀刻组合物

专利号：CN201910448499.5

公布日：2023-03-24

申请人：易案爱富科技有限公司

高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用

专利号：CN202010822544.1

公布日：2022-06-21

申请人：上海新阳半导体材料股份有限公司

蚀刻方法

专利号：CN201280055844.5

公布日：2014-07-23

申请人：崇高种子公司

氮化硅/氧化硅的3D NAND结构片的选择性蚀刻液

专利号：CN202211235381.2

公布日：2023-03-31

申请人：湖北兴福电子材料股份有限公司

用于在蚀刻氮化硅时实现超高选择比的方法

专利号：CN201610099255.7

公布日：2019-03-15

申请人：朗姆研究公司

一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用

专利号：CN202010822571.9

公布日：2021-09-28

申请人：上海新阳半导体材料股份有限公司

一种高选择比蚀刻液、其制备方法及应用

专利号：CN202010817231.7

公布日：2021-10-01

申请人：上海新阳半导体材料股份有限公司