用于实时校正导电材料层厚度的镀覆系统及元件载体

专利号：CN201620095591.X

公布日：2017-01-18

申请人：奥特斯(中国)有限公司

镀覆方法

专利号：CN200710188681.9

公布日：2008-05-28

申请人：三星电子株式会社

形成倒装芯片突起载体式封装的方法

专利号：CN200810098969.1

公布日：2009-03-11

申请人：飞思卡尔半导体公司

镀覆预处理溶液及使用所述镀覆预处理溶液制造硬盘设备用的铝衬底的方法

专利号：CN201280006415.9

公布日：2013-11-20

申请人：东洋钢钣株式会社

连续图案镀覆转印系统以及连续图案镀覆转印物制造方法

专利号：CN201380019122.9

公布日：2018-04-27

申请人：株式会社新克

电器件端子修饰

专利号：CN201910737881.8

公布日：2020-02-25

申请人：德克萨斯仪器股份有限公司

Sn镀覆材料及其制造方法

专利号：CN201780075131.8

公布日：2021-04-20

申请人：同和金属技术有限公司

一种金属或非金属材料表面制备均匀银导电层的方法

专利号：CN201010586488.2

公布日：2011-04-06

申请人：江西理工大学

镀覆装置及镀覆方法

专利号：CN201910594986.2

公布日：2022-01-07

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

用激光显影掩模层对金属基体选择性镀覆方法及设备

专利号：CN99816600.6

公布日：2002-05-08

申请人：晏达科技有限公司;赛意法微电子有限公司

使用零底切技术在印刷电路板上形成触垫的方法与构件

专利号：CN201380045812.1

公布日：2018-03-30

申请人：R&D电路股份有限公司

一种金属表面镀覆装置

专利号：CN202121565215.X

公布日：2021-08-17

申请人：一澄环境科技（武汉）有限公司

表面镀层和包括该表面镀层的半导体封装件

专利号：CN201710192302.7

公布日：2019-09-17

申请人：三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社

半导体反应腔中部件的处理方法以及半导体反应腔

专利号：CN202111523461.3

公布日：2022-03-18

申请人：拓荆科技股份有限公司

镀覆装置的气泡除去方法以及镀覆装置

专利号：CN202111142354.6

公布日：2022-04-01

申请人：株式会社荏原制作所