利用自旋转移的垂直磁化磁性元件

专利号：CN200580010520.X

公布日：2007-03-28

申请人：弘世科技公司

用于提供反向双磁隧道结元件的方法和系统

专利号：CN201180014306.7

公布日：2012-11-28

申请人：格兰迪斯股份有限公司

产生磁性偏置场的多层薄膜结构

专利号：CN201010193329.6

公布日：2010-10-06

申请人：王建国;薛松生

产生磁性偏置场的多层薄膜结构

专利号：CN201020217387.3

公布日：2011-05-04

申请人：王建国;薛松生

一种磁传感器及其制备方法和电子设备

专利号：CN202210657387.2

公布日：2022-10-04

申请人：珠海多创科技有限公司

通过被钉扎磁性层的等离子体平滑增强的GMR磁头信号

专利号：CN200310114925.0

公布日：2004-06-16

申请人：日立环球储存科技荷兰有限公司

磁电阻效应元件、磁头和磁再现设备

专利号：CN200410083163.7

公布日：2005-04-06

申请人：株式会社东芝

磁性结及其使用方法和磁存储器及系统

专利号：CN201210236344.3

公布日：2017-03-01

申请人：三星电子株式会社

具有低饱和磁化强度自由层的自旋转移磁性元件

专利号：CN200580009921.3

公布日：2007-03-28

申请人：弘世科技公司

可用于磁性器件的磁性结及其形成方法

专利号：CN201510119636.2

公布日：2019-03-12

申请人：三星电子株式会社

一种存储装置及其存储方法

专利号：CN201510583302.0

公布日：2016-01-27

申请人：华中科技大学

用于提供具有改进的读取传感器的磁式变换器的方法和系统

专利号：CN201010585835.X

公布日：2011-06-15

申请人：西部数据(弗里蒙特)公司

用于利用自旋转移的磁性元件的电流约束传递层和使用该磁性元件的MRAM器件

专利号：CN200480034323.7

公布日：2006-12-20

申请人：弘世科技公司

垂直磁性记录介质

专利号：CN200710152803.9

公布日：2008-03-19

申请人：富士电机电子技术株式会社

具有高垂直各向异性和平面内平衡磁化的自由层的自旋转移磁性元件

专利号：CN200580013036.2

公布日：2007-04-11

申请人：弘世科技公司