修复贯通电极的方法、修复装置和半导体装置

专利号：CN202210792232.X

公布日：2023-03-10

申请人：三星电子株式会社;延世大学校产学协力团

贯通电极基板及利用贯通电极基板的半导体装置

专利号：CN201811135601.8

公布日：2019-04-12

申请人：大日本印刷株式会社

贯通电极基板和使用贯通电极基板的半导体装置

专利号：CN201510085057.0

公布日：2017-10-03

申请人：大日本印刷株式会社

贯通电极基板及利用贯通电极基板的半导体装置

专利号：CN201811131924.X

公布日：2023-06-23

申请人：大日本印刷株式会社

贯通电极基板及利用贯通电极基板的半导体装置

专利号：CN201480061865.7

公布日：2018-10-30

申请人：大日本印刷株式会社

芯片堆叠封装

专利号：CN200810131010.3

公布日：2009-05-06

申请人：三星电子株式会社

集成电路结构及形成该集成电路结构的方法

专利号：CN200810170532.4

公布日：2009-04-22

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体器件

专利号：CN200610059662.1

公布日：2006-09-20

申请人：尔必达存储器株式会社

电容器以及复合电子部件

专利号：CN202211299719.0

公布日：2022-12-13

申请人：株式会社村田制作所

封装件的制造方法、压电振动器的制造方法、振荡器、电子设备及电波钟

专利号：CN201080010665.0

公布日：2012-02-15

申请人：精工电子有限公司;NSG精密股份有限公司

电极部的构造

专利号：CN201010572028.4

公布日：2011-09-21

申请人：欧姆龙株式会社

包括贯通电极的半导体芯片以及包括其的半导体封装

专利号：CN202110692578.8

公布日：2022-05-27

申请人：爱思开海力士有限公司

半导体器件及其制造方法

专利号：CN201310384818.3

公布日：2018-06-26

申请人：瑞萨电子株式会社

检测元件

专利号：CN201680059153.0

公布日：2018-06-08

申请人：大日本印刷株式会社

基板模块、基板模块的制造方法及电子机器

专利号：CN200810169192.3

公布日：2009-08-26

申请人：松下电器产业株式会社