一种新型超结逆导IGBT结构

专利号：CN201621232477.3

公布日：2017-08-15

申请人：无锡同方微电子有限公司

一种具有异质结的超结逆导型IGBT

专利号：CN202111584337.8

公布日：2023-04-25

申请人：电子科技大学

一种含有高阻p-top区的逆导型超结IGBT

专利号：CN202110351484.4

公布日：2022-10-04

申请人：四川大学

一种逆导双极型晶体管

专利号：CN201811273074.7

公布日：2021-10-22

申请人：广州工商学院

逆导型超结IGBT器件及其制造方法

专利号：CN201910056493.3

公布日：2021-11-09

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

一种具有变掺杂场截止层的超结逆阻型IGBT

专利号：CN201910738050.2

公布日：2020-07-31

申请人：电子科技大学

一种超结逆导型栅控双极型器件

专利号：CN201911310477.9

公布日：2021-03-16

申请人：电子科技大学

一种浮空p柱的逆导型槽栅超结IGBT

专利号：CN202110373827.7

公布日：2022-04-12

申请人：四川大学

一种具有超结的逆导型IGBT

专利号：CN201910738148.8

公布日：2019-11-12

申请人：电子科技大学

一种无泄漏肖特基超结半导体器件及其制造方法

专利号：CN202111591887.2

公布日：2022-04-05

申请人：芯立嘉集成电路（杭州）有限公司

一种高压超结VDMOS

专利号：CN201611218670.6

公布日：2017-06-13

申请人：中国科学院微电子研究所

一种含有隔离p-top区的逆导型超结IGBT

专利号：CN202110288026.0

公布日：2022-04-12

申请人：四川大学

一种超结逆导型绝缘栅双极晶体管及电动汽车电极控制器

专利号：CN202080012337.8

公布日：2022-02-25

申请人：华为数字能源技术有限公司

一种具有变k埋层的高耐压低比导横向部分超结功率器件

专利号：CN201810727298.4

公布日：2018-11-13

申请人：长沙理工大学

一种具有集电极槽的超结逆导型IGBT

专利号：CN201710655417.5

公布日：2017-12-12

申请人：电子科技大学