有机半导体膜及其制造方法和接触印刷用印模

专利号：CN201180023666.3

公布日：2013-01-09

申请人：帝人株式会社

一种基于超高迁移率场效应晶体管的低功耗CMOS电路

专利号：CN202211294670.X

公布日：2023-03-07

申请人：之江实验室

利用离子迁移率谱识别物质的方法

专利号：CN201110175660.X

公布日：2011-11-23

申请人：武汉矽感科技有限公司

半导体器件、制造方法以及晶体管电路

专利号：CN201410363381.X

公布日：2014-11-26

申请人：创世舫电子日本株式会社

半导体器件、制造方法以及晶体管电路

专利号：CN201210031265.9

公布日：2012-09-19

申请人：富士通半导体股份有限公司

墨套件、储墨容器、喷墨印刷方法和喷墨印刷设备

专利号：CN201680061896.1

公布日：2021-05-07

申请人：株式会社理光

用于离子分离的系统和方法

专利号：CN201610722867.7

公布日：2020-05-12

申请人：萨默费尼根有限公司

薄膜晶体管及其阵列、待测物体的检测方法

专利号：CN201811342219.4

公布日：2021-09-24

申请人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司

半导体器件制造方法

专利号：CN201210293349.X

公布日：2014-02-19

申请人：中国科学院微电子研究所

薄膜晶体管

专利号：CN202080041820.9

公布日：2022-01-28

申请人：应用材料公司

具有串联离子迁移率分析器的质谱仪

专利号：CN201810507320.4

公布日：2020-08-04

申请人：布鲁克道尔顿有限公司

预测半导体载流子迁移率的方法

专利号：CN202211080234.2

公布日：2022-11-04

申请人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院

一种像素电路的补偿方法、装置、显示设备

专利号：CN201910548785.9

公布日：2021-01-26

申请人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司

有机电致发光元件

专利号：CN200780028996.5

公布日：2009-08-05

申请人：出光兴产株式会社

一种蓝光发光器件、其制作方法及显示装置

专利号：CN202110695964.2

公布日：2022-12-23

申请人：京东方科技集团股份有限公司