发光二极管和发光二极管制备方法

专利号：CN201911119307.2

公布日：2021-07-30

申请人：芜湖德豪润达光电科技有限公司

量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器

专利号：CN202011606707.9

公布日：2021-04-09

申请人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司

量子阱结构、芯片及激光器

专利号：CN202023289626.9

公布日：2021-12-14

申请人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司

一种高亮度发光二极管的多量子阱结构

专利号：CN201310562955.1

公布日：2014-02-19

申请人：西安神光皓瑞光电科技有限公司

一种量子阱结构、一种LED外延结构及其生长方法

专利号：CN201610486136.7

公布日：2018-04-13

申请人：山东浪潮华光光电子股份有限公司

可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法

专利号：CN201310244191.1

公布日：2013-09-25

申请人：中国科学院半导体研究所

一种量子阱结构

专利号：CN201620661036.9

公布日：2016-12-07

申请人：山东浪潮华光光电子股份有限公司

量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管

专利号：CN201410282794.5

公布日：2019-05-31

申请人：中国科学院物理研究所

一种氮化物发光二极管结构

专利号：CN201710286221.3

公布日：2017-09-05

申请人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司

一种半导体发光二极管

专利号：CN202310662766.5

公布日：2023-08-29

申请人：安徽格恩半导体有限公司

量子阱结构量子点及其制备方法

专利号：CN201710657485.5

公布日：2020-09-25

申请人：TCL科技集团股份有限公司

一种紫外LED外延片及其制备方法

专利号：CN201911066382.7

公布日：2022-02-22

申请人：马鞍山杰生半导体有限公司

带有多量子阱结构的光电子半导体芯片

专利号：CN200880108978.2

公布日：2010-08-18

申请人：欧司朗光电半导体有限公司

LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片

专利号：CN201410203241.6

公布日：2017-01-18

申请人：湘能华磊光电股份有限公司

LED磊晶片结构

专利号：CN202120636445.4

公布日：2021-12-10

申请人：重庆康佳光电技术研究院有限公司