半导体结构

专利号：CN200810137833.7

公布日：2009-01-14

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法

专利号：CN200610057498.0

公布日：2007-12-26

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

制备无机发光材料的方法

专利号：CN201380037385.2

公布日：2017-03-15

申请人：默克专利有限公司

一种太阳能级多晶硅脱磷的提纯方法

专利号：CN201110268669.5

公布日：2012-04-25

申请人：山西纳克太阳能科技有限公司

一种XRF与XRD相结合检测金属硅的方法

专利号：CN202211680264.7

公布日：2023-04-25

申请人：鞍山钢铁冶金炉材科技有限公司

半导体器件及其制造方法

专利号：CN201310074758.5

公布日：2016-10-19

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

利用回收的硅细粉冶炼金属硅的方法

专利号：CN201210127322.3

公布日：2012-08-08

申请人：羊实

一种弥散分布金属硅化物/纳米硅复合材料及其制备方法

专利号：CN201911379430.8

公布日：2022-03-11

申请人：中南大学;湖南宸宇富基新能源科技有限公司

一种高纯白炭黑的制备方法

专利号：CN201510604517.6

公布日：2018-01-02

申请人：中橡集团炭黑工业研究设计院

氯硅烷类的制造方法

专利号：CN201980085399.9

公布日：2023-09-19

申请人：株式会社德山

一种热电散热装置

专利号：CN201210422441.1

公布日：2014-05-14

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种金属硅的造渣酸洗除硼方法

专利号：CN201110040875.0

公布日：2011-08-17

申请人：厦门大学

金属硅化物层以及半导体结构的制备方法

专利号：CN202210972332.0

公布日：2022-11-11

申请人：合肥新晶集成电路有限公司

熔融金属硅雾化制粉工艺

专利号：CN202010532922.2

公布日：2020-09-08

申请人：将乐三晶新材料有限公司

一种铝硅中间合金的生产工艺

专利号：CN202010485634.6

公布日：2022-06-14

申请人：昆明冶金高等专科学校