稳定的水溶性的铌和钽前体的制备方法及应用

专利号：CN200410014962.9

公布日：2005-11-23

申请人：南京大学

高比表面的钽酸盐和铌酸盐光催化剂的制备方法

专利号：CN200410041816.5

公布日：2005-03-23

申请人：南京大学

低热导率材料上氮化钽扩散阻挡区域的等离子体增强原子层沉积

专利号：CN200580018051.6

公布日：2007-09-12

申请人：国际商业机器公司

生产金属钽的方法

专利号：CN201580044930.X

公布日：2020-08-21

申请人：金属电解有限公司

一种大尺寸高品质钽铌酸钾陶瓷靶材的制备方法

专利号：CN202111448241.9

公布日：2022-08-23

申请人：山东山科智晶光电科技有限公司

钽的离子诱导原子层沉积

专利号：CN201180053148.6

公布日：2013-07-03

申请人：诺发系统公司

长久保持记忆力的低印记铁电材料及其液体前体和制作方法

专利号：CN99812156.8

公布日：2004-06-16

申请人：塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社

自钽卤化物前体获得整体式的钽和钽氮化物膜的化学气相沉积方法

专利号：CN00806872.0

公布日：2004-05-19

申请人：东京电子株式会社

一种制备电子管金属氧化物前体的方法

专利号：CN03106770.0

公布日：2003-09-17

申请人：卡伯特公司

一种制备电子管金属氧化物或其水合物的方法以及五氧化铌和五氧化钽粉末

专利号：CN96198814.2

公布日：2003-04-23

申请人：卡伯特公司

从钽卤化物前体得到的钽氮化物膜的等离子增强的化学气相沉积方法

专利号：CN00806856.9

公布日：2004-04-07

申请人：东京电子株式会社

一种能同时碳化多个钽片的装置及方法

专利号：CN202011078251.3

公布日：2022-07-12

申请人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司

从钽卤化物前体得到的热化学气相沉积钽氮化物膜的等离子体处理方法

专利号：CN00806888.7

公布日：2002-05-15

申请人：东京电子株式会社

一种促成骨钛钽复合材料的制备方法

专利号：CN201910652473.2

公布日：2019-10-08

申请人：中南大学

三维有序大孔结构钽酸钠光催化制氢材料的通用合成方法

专利号：CN202110883517.X

公布日：2021-11-05

申请人：南昌大学